中证智能财讯银河微电(688689)9月21日晚间公告，为提高公司集成电路分立器件产品的生产加工制造能力，扩大集成电路分立器件产品的生产规模，公司于当日董事会审议通过《关于投资高端核心器件产业化及创新能力建设项目的议案》，同意公司以自有或自筹资金10.78亿元投资实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”，并授权公司管理层办理该项目投资的所有后续事项。
本项目系公司已披露项目“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续和产业化落地环节。前置项目主要完成土地购置及厂房土建等基础设施，本项目不涉及新增土建，主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。项目投资将按照“整体规划、分步实施、分批投入”的原则推进，根据市场情况、客户验证进度及产能消化情况动态安排资金投入节奏。
上述项目产品定位为采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构，通过AEC-Q101等高可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业等高门槛场景的功率分立器件与第三代半导体器件，主要包含SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。
项目建设周期为3年，具体建设周期以项目基础全面动工开始计算，预计开工时间为2027年1月1日。建设内容包括厂房车间装修，购置生产设备及配套设备，建设新产线，实现公司集成电路分立器件升级产品小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的落地量产。
根据公告披露的项目必要性分析，当前国内半导体分立器件相关产品供给仍有提升空间，公司现有产能主要面向常规产品，相关产能存在一定缺口。本项目将新建产线，实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的规模化量产，有助于补充公司相关产能，提升相关产品供给能力。
银河微电表示，项目的实施将有助于公司丰富产品系列，扩大公司产品市场覆盖范围，为公司创建新的营收增长点，提高公司盈利能力和竞争力，同时有利于公司提升产品供给能力和系统方案交付能力，深化与上下游企业的合作关系，巩固和提升市场地位，对促进公司长期稳定发展具有重要意义。
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